बीजीए रीवर्क स्टेशन खरीदें

बीजीए रीवर्क स्टेशन खरीदें 

1.स्वचालित ऑप्टिकल बीजीए रीवर्क स्टेशन का अनुप्रयोग 

सभी प्रकार के मदरबोर्ड या पीसीबीए के साथ काम करें।

सोल्डर, रीबॉल, डीसोल्डरिंग विभिन्न प्रकार के चिप्स: बीजीए, पीजीए, पीओपी, बीक्यूएफपी, क्यूएफएन, एसओटी223, पीएलसीसी, टीक्यूएफपी, टीडीएफएन, टीएसओपी,

पीबीजीए, सीपीजीए, एलईडी चिप।

2. उत्पाद की विशेषताएंस्वचालित ऑप्टिकलबीजीए रीवर्क स्टेशन 

3.की विशिष्टतास्वचालित ऑप्टिकलबीजीए रीवर्क स्टेशन 

4.का विवरणस्वचालित ऑप्टिकलबीजीए रीवर्क स्टेशन 

5.हमारा क्यों चुनें?स्वचालित ऑप्टिकलबीजीए रीवर्क स्टेशन? 

6.का प्रमाणपत्रस्वचालित ऑप्टिकलबीजीए रीवर्क स्टेशन 

यूएल, ई-मार्क, सीसीसी, एफसीसी, सीई आरओएचएस प्रमाणपत्र। इस बीच, गुणवत्ता प्रणाली में सुधार और सुधार करने के लिए,

डिंगहुआ ने आईएसओ, जीएमपी, एफसीसीए, सी-टीपीएटी ऑन-साइट ऑडिट प्रमाणन पारित किया है।

7. पैकिंग एवं शिपमेंटस्वचालितबीजीए रीवर्क स्टेशन 

8.शिपमेंट के लिएस्वचालित ऑप्टिकलबीजीए मशीन को रीबॉल करना

डीएचएल/टीएनटी/फेडेक्स। यदि आप अन्य शिपिंग अवधि चाहते हैं, तो कृपया हमें बताएं। हम आपका समर्थन करेंगे.

9. भुगतान की शर्तें

बैंक हस्तांतरण, वेस्टर्न यूनियन, क्रेडिट कार्ड।

यदि आपको अन्य सहायता की आवश्यकता हो तो कृपया हमें बताएं।

10. डीएच-ए2 स्वचालित बीजीए आईसी रीबॉलिंग मशीन कैसे काम करती है?

11. सम्बंधित ज्ञान

फ़्लैश चिप के बारे में

आपूर्ति की गतिशीलता

हाल ही में, सैंडफोर्स की नई मालिक चिप कंपनी एलएसआई ने कहा कि वे एसएफ मास्टर एसएसडी के लिए एक नया फर्मवेयर विकसित कर रहे हैं

अल्ट्राबुक में. मुख्य कार्य SSD की बिजली खपत को कम करना और प्रदर्शन में सुधार करना है

एसएसडी और स्टार्टअप को गति दें। रफ़्तार।

पैरामीटर

3. 3V बिजली की आपूर्ति;

चिप की आंतरिक मेमोरी सेल सरणी (256M + 8.192M) बिट × 8बिट है, और डेटा रजिस्टर और बफर मेमोरी दोनों हैं

(2के + 64) बिट × 8बिट;

निर्देश/पता/डेटा मल्टीप्लेक्सिंग के साथ I/O पोर्ट;

बिजली रूपांतरण के दौरान प्रोग्राम और इरेज़ कमांड को निलंबित किया जा सकता है;

विश्वसनीय CMOS मूविंग गेट तकनीक की बदौलत, चिप अधिकतम 100kB प्रोग्राम/इरेज़ चक्र प्राप्त कर सकती है, जो

बिना किसी नुकसान के 10 वर्षों तक डेटा भंडारण की गारंटी देता है।

कामकाजी स्थिति

I/O0~I/O7: डेटा इनपुट और आउटपुट पोर्ट, I/O पोर्ट का उपयोग अक्सर निर्देश और पते के इनपुट और डेटा के इनपुट/आउटपुट के लिए किया जाता है।

डेटा कहां है

पढ़ने की प्रक्रिया के दौरान दर्ज करें. जब चिप का चयन नहीं किया जाता है या आउटपुट नहीं किया जा सकता है, तो I/O पोर्ट उच्च प्रतिबाधा स्थिति में होता है।

सीएलई: इंस्ट्रक्शन लैच का उपयोग इंस्ट्रक्शन रजिस्टर पथ पर इंस्ट्रक्शन को सक्रिय करने और इंस्ट्रक्शन को उस पर लैच करने के लिए किया जाता है

WE और CLE की बढ़ती बढ़त ऊंची है।

एएलई: एड्रेस लैच, आंतरिक पता रजिस्टर में पते के पथ को सक्रिय करने के लिए उपयोग किया जाता है, और पते को एड्रेस पर लैच किया जाता है।

WE और ALE की बढ़ती बढ़त ऊंची है।

सीई: चिप चयनकर्ता, डिवाइस चयन को नियंत्रित करने के लिए उपयोग किया जाता है। जब डिवाइस व्यस्त होता है, तो CE उच्च होता है और इसे नजरअंदाज कर दिया जाता है, और डिवाइस वापस नहीं आ सकता

स्टैंडबाय स्थिति के लिए.

आरई: रीड इनेबल, डेटा के निरंतर आउटपुट को नियंत्रित करने और डेटा को आई/ओ बस में भेजने के लिए उपयोग किया जाता है। आउटपुट डेटा केवल पर मान्य है

आरई का गिरता किनारा, और यह आंतरिक डेटा पते भी जमा कर सकता है।

हम: राइट इनेबल टर्मिनल का उपयोग I/O पोर्ट के निर्देश लेखन को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। उसी समय, आदेश, पता

और इस पोर्ट के माध्यम से डेटा को WE पल्स के बढ़ते किनारे पर लगाया जा सकता है।

WP: राइट प्रोटेक्टर, जिसे WP टर्मिनल के माध्यम से पावर रूपांतरण में राइट-प्रोटेक्ट किया जा सकता है। जब WP कम होता है, तो यह आंतरिक होता है

उच्च स्तरीय जनरेटर को रीसेट कर दिया जाएगा।

आर/बी: तैयार/व्यस्त आउटपुट, आर/बी का आउटपुट डिवाइस की ऑपरेटिंग स्थिति दिखा सकता है। जब R/B कम होता है, तो यह इंगित करता है कि एक प्रोग्राम,

मिटाने या यादृच्छिक पढ़ने का कार्य प्रगति पर है. ऑपरेशन पूरा होने के बाद, आर/बी स्वचालित रूप से उच्च स्तर पर वापस आ जाएगा। के बाद से

टर्मिनल एक ओपन-ड्रेन आउटपुट है, चिप का चयन नहीं होने या आउटपुट अक्षम होने पर भी यह उच्च-प्रतिबाधा स्थिति में नहीं होगा।

PRE: पावर-ऑन रीड ऑपरेशन, पावर चालू होने पर स्वचालित रीड ऑपरेशन को नियंत्रित करने के लिए उपयोग किया जाता है, और PRE टर्मिनल को जोड़ा जा सकता है

पावर-ऑन स्वचालित रीड ऑपरेशन का एहसास करने के लिए वीसीसी को।

वीसीसी: चिप पावर टर्मिनल।

वीएसएस: चिप ग्राउंड।

एनसी: लटक रहा है।

कार्य स्थिति संपादन

1 पेज रीड ऑपरेशन

फ़्लैश चिप की डिफ़ॉल्ट स्थिति पढ़ने की स्थिति है। रीड ऑपरेशन के लिए 00h एड्रेस लिखकर निर्देश शुरू करना है

4 पता चक्रों के माध्यम से अनुदेश रजिस्टर। एक बार निर्देश लैच हो जाने के बाद, रीड ऑपरेशन को अगले पृष्ठ में नहीं लिखा जा सकता है।

यादृच्छिक डेटा आउटपुट निर्देश लिखकर डेटा को एक पृष्ठ से यादृच्छिक रूप से आउटपुट किया जा सकता है। डेटा पता स्वचालित रूप से मिल सकता है

डेटा पते से यादृच्छिक आउटपुट निर्देशों द्वारा अगला पता आउटपुट किया जाएगा। रैंडम डेटा आउटपुट ऑपरेशंस का एकाधिक उपयोग किया जा सकता है

बार.

2 पेज प्रोग्रामिंग

फ़्लैश चिप की प्रोग्रामिंग पेज-दर-पेज है, लेकिन यह एकल पेज प्रोग्रामिंग चक्र में कई आंशिक पेज प्रोग्रामिंग का समर्थन करता है,

जबकि एक आंशिक पेज के क्रमागत पेजों की संख्या 2112 है। प्रोग्राम संचालन को पेज प्रोग्राम लिखकर शुरू किया जा सकता है

पावती निर्देश (10 घंटे), लेकिन निर्देश (10 घंटे) लिखे जाने से पहले निरंतर डेटा इनपुट होना चाहिए।

लगातार डेटा लोड करना एक निरंतर डेटा इनपुट निर्देश (80h) लिखने के बाद, यह एड्रेस इनपुट और डेटा लोडिंग के 4 चक्र शुरू करेगा, लेकिन

यह शब्द प्रोग्राम किए गए डेटा से अलग है, इसे लोड करने की आवश्यकता नहीं है। चिप पेज और कैन में डेटा के यादृच्छिक इनपुट का समर्थन करता है

रैंडम डेटा इनपुट कमांड (85h) के अनुसार पता स्वचालित रूप से बदलें। रैंडम डेटा एंट्री का उपयोग कई बार भी किया जा सकता है।

3 कैश प्रोग्रामिंग

कैश प्रोग्रामिंग एक प्रकार की पेज प्रोग्रामिंग है जिसे 2112-बाइट डेटा रजिस्टर द्वारा निष्पादित किया जा सकता है और यह केवल एक ब्लॉक में मान्य है। क्योंकि

फ्लैश चिप में एक पेज बफर होता है, जब डेटा रजिस्टर को मेमोरी सेल में प्रोग्राम किया जाता है तो यह निरंतर डेटा इनपुट कर सकता है। कैश

प्रोग्रामिंग केवल अपूर्ण प्रोग्रामिंग चक्र के अंत के बाद ही शुरू हो सकती है और डेटा रजिस्टर कैश से पास हो जाते हैं। आंतरिक प्रोग्रामिंग को आर/बी पिन द्वारा आंका जा सकता है। यदि सिस्टम प्रोग्राम की प्रगति की निगरानी के लिए केवल आर/बी का उपयोग करता है, तो अंतिम पृष्ठ का क्रम

लक्ष्य कार्यक्रम को वर्तमान पृष्ठ प्रोग्रामिंग निर्देशों के अनुसार व्यवस्थित किया जाना चाहिए।

4 भंडारण इकाई डबिंग

यह प्रभाव बाहरी मेमोरी तक पहुंच के बिना किसी पृष्ठ में डेटा को तेज़ी से और कुशलता से अधिलेखित कर सकता है। जब से लगातार समय व्यतीत हो रहा है

पहुंच और पुनः लोडिंग कम हो जाती है, सिस्टम की निष्पादन क्षमता में सुधार होता है। खासतौर पर तब जब ब्लॉक का एक हिस्सा अपग्रेड किया गया हो और

बाकी ब्लॉक को नए ब्लॉक में कॉपी करने की जरूरत है, इसके फायदे स्पष्ट रूप से दिखाए गए हैं। यह ऑपरेशन लगातार निष्पादित रीड कमांड है,

लेकिन गंतव्य पते से प्रोग्राम तक निरंतर पहुंच और प्रतिलिपि की आवश्यकता नहीं है। मूल पृष्ठ पते का एक पठन संचालन

"35h" का निर्देश पूरे 2112 बाइट्स डेटा को आंतरिक डेटा बफर में स्थानांतरित कर सकता है। जब चिप तैयार स्थिति में लौट आती है, तो पेज कॉपी हो जाता है

डेस्टिनेशन एड्रेस लूप के साथ डेटा इनपुट निर्देश लिखा जाता है। इस ऑपरेशन में त्रुटि प्रोग्राम "पास/असफल" स्थिति द्वारा दिया गया है। तथापि,

यदि ऑपरेशन को चलने में बहुत अधिक समय लगता है, तो डेटा हानि के कारण थोड़ी ऑपरेशन त्रुटि होगी, जिसके परिणामस्वरूप डिवाइस की जाँच में एक बाहरी त्रुटि "चेक/सही" होगी।

असफलता। इस कारण से, ऑपरेशन को दो त्रुटियों के साथ ठीक किया जाना चाहिए।

5 ब्लॉक मिटाएँ

फ़्लैश चिप का मिटाने का कार्य ब्लॉक आधार पर किया जाता है। ब्लॉक एड्रेस लोड एक ब्लॉक इरेज़ निर्देश के साथ शुरू होगा और दो चक्रों में पूरा होगा। वास्तव में, जब पता पंक्ति A12 से A17 को तैरते हुए छोड़ दिया जाता है, तो केवल पता पंक्ति A18 से A28 ही उपलब्ध होती हैं। मिटाना पुष्टिकरण आदेश और ब्लॉक पता लोड करके मिटाना शुरू किया जा सकता है। मेमोरी की सामग्री को बाहरी शोर से प्रभावित होने और मिटाने में त्रुटि उत्पन्न होने से रोकने के लिए इस ऑपरेशन को इस क्रम में किया जाना चाहिए।

6 स्थिति पढ़ें

फ़्लैश चिप के भीतर एक स्थिति रजिस्टर पुष्टि करता है कि प्रोग्राम और इरेज़ ऑपरेशन सफलतापूर्वक पूरा हो गए थे। निर्देश रजिस्टर में निर्देश लिखने (70 घंटे) के बाद, पढ़ने का चक्र स्थिति रजिस्टर की सामग्री को सीई या आरई के गिरते किनारे पर आई/ओ पर आउटपुट करता है। नया निर्देश आने तक निर्देश रजिस्टर पढ़ने की स्थिति में रहेगा, इसलिए यदि यादृच्छिक पढ़ने के चक्र के दौरान स्थिति रजिस्टर पढ़ने की स्थिति में है, तो पढ़ने के चक्र शुरू होने से पहले एक पढ़ने का निर्देश दिया जाना चाहिए।